【摘 要】
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日本工业技术院电子技术综合研究所研制成一种微小的霍尔元件,其大小仅为0.25μm。以前使用掩膜的方法,由于受掩膜加工及注入离子的限制,元件的大小被限制在2~5μm,为了克服
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日本工业技术院电子技术综合研究所研制成一种微小的霍尔元件,其大小仅为0.25μm。以前使用掩膜的方法,由于受掩膜加工及注入离子的限制,元件的大小被限制在2~5μm,为了克服这些困难,该研究所不使用掩膜,直接用离子束扫描电路,越是缩小离子束的束径,就越能制作微小的霍尔元件。其制作方法是:先在砷化镓芯片上用光石印术刻
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