静电封接技术在硅压阻传感器中的应用

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本文论述了绝缘体——导体密封焊接的基本原理和方法:给出了玻璃——硅的封接:玻璃——SiO_2层的封接和硅——硅封接中相应的封接电流,封接温度,封接电压和衬底制备等工艺参数,论述了其中存在的问题及注意事项,指明了有无微导通现象是封接成败的关键因素。 This paper discusses the basic principles and methods of insulator-conductor sealing welding: the glass-silicon sealing is given: the sealing of the glass-SiO 2 layer and the corresponding sealing current in the silicon-silicon sealing, the sealing Temperature, sealing voltage and substrate preparation process parameters, discussed the existing problems and precautions, indicating whether the micro-conduction phenomenon is the key factor in the success or failure of the seal.
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