NEC研制出GaN半导体功率晶体管

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日前,NEC 面向准毫米波频带(30GHz)试制出了 GaN 系半导体功率晶体管,最大功率约为以前的3倍,实现了2.3W 的功率放大。主要面向无线通信产品的射频放大器,力争3~5年后投产。这种晶体管采用了 GaN 和 AlGaN 的异质结以及使用电子束曝光法制成的长度0. Recently, NEC developed a GaN-based semiconductor power transistor for quasi-millimeter-wave band (30 GHz) with a maximum power of about 3 times that of the previous, and achieved power amplification of 2.3W. Mainly for wireless communication products, RF amplifiers, and strive to put into operation after 3 to 5 years. This transistor uses a heterojunction of GaN and AlGaN and a length of 0 using electron beam exposure.
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