DV-X_a计算a-SiO_2电子结构

• 作 者: 蔡军 汪克林 夏上达 徐叙瑢
• 机 构: 中国科学技术大学基础物理中心,中国科学技术大学基础物理中心,中国科学技术大学物理系,天津理工学院材料物理研究所 合肥230026,合肥230026,合肥230026,天津300191
• 出 处: 物理学报
• 发表日期: 1995年07期
• 关键词: 电子结构 DV-X_a a-SiO_2 结构畸变 原子簇 键长 键角 第一性原理 杂化轨道 无序结构

利用离散变分X_(?)(DV-X(?))的方法,非经验地计算非晶二氧化硅(a-SiO_2)电子结构,得到了与实验值较一致的结果,并研究a-SiO_2体结构畸变对a-SiO_2电子结构的影响.

The electronic structure of amorphous silica (a-SiO_2) was calculated experientially by using the method of discrete variational X _ (?) (DV-X (?)) And the results were consistent with the experimental values. Effect of SiO_2 bulk structure distortion on the electronic structure of a-SiO_2.