β‘—Gd2（MoO4）3晶体生长中的过冷现象研究

• 作 者: 袁清习 李红军 庄漪 徐军 潘守夔
• 机 构: 中国科学院上海光学精密机械研究所,南京大学固体微结构物理国家实验室
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2002年2期
• 关键词: β'-Gd2(MoO4)3 晶体生长 过冷现象 电阻加热引上法 感应加热引上法 熔体过冷 组分过冷 resistance-heated Cz techn
• 基金项目: 国家自然科学基金

对电阻加热引上法和感应加热引上法生长β′-Gd2(MoO4)3晶体的实验结果进行了比较,分析了两种方法生长晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况.研究认为组分过冷主要与生长过程中MoO3的挥发、Gd2(MoO4)3熔体的粘度及固液界面的温度梯度有关,并认为感应加热引上法较之电阻加热引上法容易得到优质晶体.