【摘 要】
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开展电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流影响的实验研究.首先,比较多种IGBT/FRD@芯片级并联均流实验电路,进而搭建压接型IGBT/FRD芯片级动态均流特性实验
【机 构】
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新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市 昌平区,102206;全球能源互联网研究院,北京市昌平区,102209
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开展电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流影响的实验研究.首先,比较多种IGBT/FRD@芯片级并联均流实验电路,进而搭建压接型IGBT/FRD芯片级动态均流特性实验平台,对16枚FRD芯片开展动态均流测试.实验结果证实器件内存在复杂的动态不均流现象,进一步表明:发射极电极圆周化布置时,在对称的外部电磁条件下可以明显优化器件内部的并联均流特性,但当器件连接外部不对称汇流母排后,该设计方案收效甚微,甚至有加剧不均流的风险;发射极电极刻槽方案,对于对称或不对称的外部电磁条件都能对器件内部的动态均流特性加以改善.
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