【摘 要】
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采用蒸发淀积、快速热退火（ＲＴＡ）等技术，通过Ｔｉ／Ｓｉ、Ｔｉ／多晶硅固相反应，形成高电导均匀的ＴｉＳｉ＿２薄膜，并将这种钛硅化物形成技术应用于浅结多晶硅发射极工艺中，自对准形成钛硅化物薄膜（Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥ），以形成良好的欧姆
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采用蒸发淀积、快速热退火（ＲＴＡ）等技术，通过Ｔｉ／Ｓｉ、Ｔｉ／多晶硅固相反应，形成高电导均匀的ＴｉＳｉ＿２薄膜，并将这种钛硅化物形成技术应用于浅结多晶硅发射极工艺中，自对准形成钛硅化物薄膜（Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥ），以形成良好的欧姆接触和减小器件互连线电阻。本文介绍了钛与单晶硅、多晶硅形成的硅化物及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用研究。
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