论文部分内容阅读
为了进一步提高SiCJBS的反向击穿特性和BFOM值，对POP型SiCJBS结构进行了重要改进。虽然它们都是采用外延的方法在一个较窄的轻掺杂P阱上面再制作一个较宽的重掺杂P区，但是改进的结构在二者的界面附近存在一段等宽区，即P阱的上半部分与重掺杂P区同宽，从而大幅度降低重掺杂P区的边缘电场集中效应以提高击穿电压。通过理论分析与MEDICI软件仿真，深入探讨了这种结构变化对器件性能的影响。结果表明，在不增加额外工艺的情况下，改进的结构可大幅度提高BFOM和击穿电压。