基于肖特基二极管的单片集成560 GHz混频器

• 作 者: 翁祎 刘晓宇 周静涛
• 机 构: 中国科学院大学,中国科学院微电子研究所
• 出 处: 太赫兹科学与电子信息学报
• 发表日期: 2021年2期
• 关键词: 肖特基势垒二极管 单片集成混频器 混合传输结构

介绍了一款基于InP材料的肖特基二极管的单片集成混频器,其工作频率为560 GHz。该混频器采用了一种新型薄膜混合传输结构,基于某聚合物材料的无源结构的传输损耗降至14.4-15.5 Np/m。相比于基于传统石英介质基片和半导体介质基片的传输线,传输损耗降低了一半以上。同时为了降低高频损耗,提高电路效率,二极管需采用亚微米结构,结半径为0.5μm,结电容为1.5 fF。无源结构和有源结构的同时优化使得该倍频器在540~580 GHz的工作频带内,变频损耗优于-8 dB,回波损耗优于10 dB。并且由于无源