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本文仅对硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIRCCD)的结构、工艺及提高性能的途径作一综合描述。
In this paper, we only describe the structure, the process and the way of improving the performance of the PtSi-SBIRCCD siliconized platinum Schottky barrier.