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【摘 要】
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利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）并结合Ｘ射线衍射分析ＡｌＮ陶瓷基板在８５０－１１００℃空气中退火时的初始氧化行为。结果表明，未退火ＡｌＮ陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层。在退火１０ｍｉｎ的条件下，随着退火温度的增加，富氧层迅
【机 构】
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中国科学院表面物理国家重点实验室和半导体研究所
【出 处】
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硅酸盐学报
【发表日期】
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1998年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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