半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露

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目的 探讨低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的疗效。方法 采用JAM Ⅱ型多功能半导体激光治疗仪对 2 2例不同程度的义眼座暴露患者进行激光照射治疗 ,并将结果与既往采用药物及手术治疗的 2 0例义眼座暴露患者对照比较。结果 激光组 2 2例全部愈合(10 0 % ) ;药物及手术组中轻、中、重度的愈合率分别为 83 3%、6 3 6 %和 0。经采用卡方检验之四格表精确检验法处理 ,两组间轻度患者的愈合率差异无显著性意义 (P =0 5 4 5 ) ,而两组间中度和重度患者的愈合率差异有显著性意义 (P =0 0 19,0 0 18)。结论 低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的疗效优于药物及手术方法。也可用于预防义眼座暴露。
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