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利用直流磁控溅射装置淀积ｎｃ－ＺｎＯ薄膜，而以ＳｉＯ２／Ｓｉ，Ａｎ／ＳｉＯ２／Ｓｉ和玻璃为基片．应用磁控溅射技术淀积压电ｎｃ－ＺｎＯ薄膜可以减小电子对ｎｃ－ＺｎＯ薄膜表面的轰击损伤，增加电子与反应粒子的碰撞几率，同时又减小界面应力．实验获得ｎｃ－ＺｎＯ薄膜的晶粒尺寸约为２５ｎｍ．电阻率ρ＞１０９Ω．ｃｍ．晶面族（００２）Ｘ射线衍射峰位置２θ＝３４．４４°，有很好的晶态Ｃ轴取向．