【摘 要】
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前言 为了制造高超CMOS逻辑IC,引进微细加工技术、等平面全离子注入技术及减薄氧化膜厚度等变更工艺参数,固然是十必要的。但在电路上下功夫,选择更适合高速的电路形式也是相
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前言 为了制造高超CMOS逻辑IC,引进微细加工技术、等平面全离子注入技术及减薄氧化膜厚度等变更工艺参数,固然是十必要的。但在电路上下功夫,选择更适合高速的电路形式也是相当重要的。本报告讨论了常规的二输入端与非门电路的两个输入端的开关特性受输入偏置方式的影响而有明显差异的问题,分析了造成差异
Preface In order to create superior CMOS logic IC, the introduction of micro-processing technology, such as planar all-ion implantation technology and thinning oxide film thickness change process parameters, of course, is essential. But in the circuit work hard, choose more suitable for high-speed circuit form is very important. This report discusses the conventional two-input and non-gate circuit of the two input switching characteristics of the input offset the impact of significant differences, the analysis of the causes of the difference
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