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本文研究了 Cu-Zr、Cu-Zr-Si 高导电合金的时效析出组织和伴随析出产生的硬度、电导率的变化。随着时效温度的提高,电导率在600℃左右出现峰值,此时 Cu-Zr-Si 三元合金比Cu-zr 二元合金的 Hv 高出5~15左右。添加少量 Si 能抑制析出物粗化、细化晶粒,并推迟合金的软化速率.