隧道二极管的应用

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隧道二极管简称隧道管,是用锗、砷化镓、锑化镓等半导体材料制造的一种小型二极管.它的结构特点是有一个两边重掺杂的PN结,因而有一个很窄的势垒区.因此,在隧道管两端加上一个很小的偏置电压,无论正向或反向都会出现由电子穿透势垒的隧道效应而产生的隧道电流,从而使它具有与一般PN结二极 Tunnel diode referred to as the tunnel tube, is a small diode made of semiconductor materials such as germanium, gallium arsenide, gallium antimonide, etc. Its structure is characterized by a heavily doped PN junction on both sides and thus has a very narrow barrier Therefore, by applying a small bias voltage across the tunnel tube, a tunneling current resulting from the tunneling effect of the electron-penetrating barrier appears either in the forward or in the reverse direction so that it has the same characteristics as a conventional PN junction Diode
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