硫钝化GaP（001）表面的结构及电学性质研究

• 作 者: 李登峰 雷跃荣 肖海燕 祖小涛 董会宁
• 机 构: 重庆邮电大学数理学院应用物理研究所,电子科技大学物理电子学院,四川理工学院电子与信息工程系
• 出 处: 半导体光电
• 发表日期: 2008年5期
• 关键词: 密度泛函理论 磷化镓 能带 态密度 功函变化 density functional theory GaP energy band density of s

基于第一性原理的密度泛函理论，分析了覆盖度为1ML（monolayer）的硫吸附在磷截止和镓截止的GaP（001）（1×2）表面的结构和电学属性。能量计算表明，最稳定的吸附模型均是SHB＋ST4镓和磷二聚物都被断开，周期单元由（1×2）变成（1×1），硫原子吸附在桥位置，Ga-S键比P—S键更稳定。电学性质分析可知，硫吸附在镓截止GaP表面后能隙中的表面态大幅度减少，而吸附在磷截止的表面时表面态并没有减少且在0．74eV处多了一个新峰，硫吸附在镓截止表面后的态密度分布与实验结