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富士通研究所与东京工业大学联合开发出了面向新一代FeRAM（铁电随机存储器）的存储材料。该材料置换了部分BiFeO3（BFO）成分，与180nm工艺产品采用的物质属同一构造，也可用于90nm工艺以后的FeRAM，因此可实际应用于大容量FeRAM。
富士通面向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料
【摘 要】
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富士通研究所与东京工业大学联合开发出了面向新一代FeRAM（铁电随机存储器）的存储材料。该材料置换了部分BiFeO3（BFO）成分，与180nm工艺产品采用的物质属同一构造，也可用于90nm工艺
【出 处】
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家电科技
【发表日期】
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2008年13期
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