Ce1-xSmxO2-y缓冲层的化学溶液法制备

• 作 者: 雷和畅 朱雪斌 宋文海 孙玉平
• 机 构: 中国科学院固体物理研究所
• 出 处: 稀有金属材料与工程
• 发表日期: 2008年A04期
• 关键词: 涂层导体 缓冲层 化学溶液法 coated conductors buffer layers chemical solution deposition

采用化学溶液法在NiW（200）基带上进行了Ce1-xSmxO2-y（x=0,0.2,1）缓冲层的制备及生长机理研究。结果表明,化学溶液法可以成功制备出双轴织构的Ce1-xSmxO2-y缓冲层;在x=0和x=0.2的情况下,所制备的缓冲层有裂纹产生;但是随着x的增加,开裂现象被逐步抑制。对x=1的Sm2O3缓冲层而言,当厚度增加到120nm时依然没有产生裂纹,表明Sm2O3缓冲层可以作为单一缓冲层而得以使用。