【摘 要】
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高压单晶炉是拉制离解压高的Ⅱ—Ⅵ族和Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体等用的关键设备。我所成功地将原来一台投料量一公斤的硅单晶炉改造成拉制Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体磷化铟(InP)的高
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高压单晶炉是拉制离解压高的Ⅱ—Ⅵ族和Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体等用的关键设备。我所成功地将原来一台投料量一公斤的硅单晶炉改造成拉制Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体磷化铟(InP)的高压单晶炉。该设备系统经调试,已成功地拉制出磷化铟单晶。炉子结构简单,电气控
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