【摘 要】
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实验研究表明，多晶硅后的高温退火明显引起热SiO2栅介质击穿电荷降低和FN应力下电子陷阱产生速率增加．采用N2O氮化则可完全消除这些退化效应，而且氮化栅介质性能随着退火时间增
【机 构】
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北京大学微电子学研究所!北京100871,中国科学院半导体研究所!北京100083,中国科学院半导体研究所!北京100083,北京大学微电子学研究所!北京100871
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实验研究表明，多晶硅后的高温退火明显引起热SiO2栅介质击穿电荷降低和FN应力下电子陷阱产生速率增加．采用N2O氮化则可完全消除这些退化效应，而且氮化栅介质性能随着退火时间增加反而提高．分析认为，高温退火促使多晶硅内H扩散到SiO2内同Si—O应力键反应形成Si—H是多晶硅后SiO2栅介质可靠性退化的主要原因；氮化抑制退化效应是由于N“缝合”了SiO2体内的Si—O应力键缺陷．
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