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介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展，比较了几种主要新颖半导体器件的特性，指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法，展望了器件未来发展趋势。
MOSFET器件回顾与展望（下）
【摘 要】
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介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展，比较了几种主要新颖半导体器件的特性，指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法，展望了器件未来发展趋势。
【机 构】
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中芯国际集成电路（上海）有限公司存储器技术发展中心,上海第二工业大学
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2007年1期
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