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采用InALGaN系列材料开发紫外短波高亮度LED
采用InALGaN系列材料开发紫外短波高亮度LED
来源 :显示器件技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:super_mouse
【摘 要】
:
1.前言波长250~350nm波段的半导体紫外线光源(LD·LED),可望在广泛领域得以应用,有比较高的实现期待值。
【作 者】
:
李桂林(译)
【机 构】
:
彩虹集团外事办
【出 处】
:
显示器件技术
【发表日期】
:
2007年1期
【关键词】
:
紫外线光源
高亮度LED
材料开发
短波
半导体
波段
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1.前言波长250~350nm波段的半导体紫外线光源(LD·LED),可望在广泛领域得以应用,有比较高的实现期待值。
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