含二噻吩并[3,2-b:2',3'-d]氧膦杂环戊二烯共轭聚合物的合成及其在薄膜晶体管和体异质结太阳能电池中的应用

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采用Stille缩聚反应,合成了3,5-二烷基-二噻吩并[3,2-b:2’,3’-d]氧膦杂环戊二烯与二联噻吩的共聚物P1和P2,系统研究了它们的热性能、电化学性质和光物理性质.结果表明,这2个聚合物具有良好的热稳定性,热分解温度均大于400℃;薄膜的最大吸收峰位于590 nm,光学带隙为1.76 eV.将P1和P2作为活性层制备了薄膜晶体管和体异质结太阳能电池,发现带有较长烷基链的P2的器件性能较好.在底栅、顶接触结构的薄膜晶体管中,P2的空穴迁移率最高达到0.0077 cm2V-1s-1;在AM 1.5 G 100 mW/cm2光照条件下,P2的光伏电池的开路电压为0.68 V,短路电流为7.9 mA/cm2,填充因子为52%,能量转换效率为2.8%. The copolymers P1 and P2 of 3,5-dialkyl-dithieno [3,2-b: 2 ’, 3’-d] phosphinol and dithiophene were synthesized by Stille condensation polymerization , The thermal properties, the electrochemical properties and the photophysical properties of the two polymers were studied systematically.The results show that the two polymers have good thermal stability, the thermal decomposition temperature is higher than 400 ℃, the maximum absorption peak of the film is at 590 nm, The gap was 1.76 eV. The thin film transistors and bulk heterojunction solar cells were prepared using P1 and P2 as the active layer, and the devices with longer alkyl chain P2 were found to be better performance. In the bottom gate, top contact structure thin film transistor , The hole mobility of P2 is up to 0.0077 cm2V-1s-1. Under AM 1.5 G 100 mW / cm2 illumination, the open circuit voltage of P2 photovoltaic cell is 0.68 V and the short-circuit current is 7.9 mA / cm2. The fill factor 52%, energy conversion efficiency of 2.8%.
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