恒温磁力搅拌下KOH刻蚀Si的研究

• 作 者: 刘宇 毛旭 岳萍 张福学
• 机 构: 北京信息工程学院传感技术研究中心
• 出 处: 电子元件与材料
• 发表日期: 2006年12期
• 关键词: 电子技术 MEMS 湿法刻蚀 KOH 温度 electronic technology MEMS wet etching KOH temperature

采用恒温磁力搅拌的方法，在KOH溶液中湿法刻蚀Si.在掩模层为SiO2时，研究了刻蚀速率随KOH浓度与温度的变化关系。结果表明：在110℃、30％的KOH溶液下，刻蚀Si（100）可以得到4.0μm／min的刻蚀速率，Si（100）：SiO2的刻蚀速率比为550：1，Si（100）：Si（111）的刻蚀速率比为90：1，而且可以得到光滑的刻蚀表面与形状。