【摘 要】
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为了提高移相器性能,通过掺杂的方法研究了La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物对BSTO/MgO铁电移相材料低频(10 kHz)与高频(2.5 GHz左右)相对介电常数εr、介质损耗tgδ和
【机 构】
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南京工业大学材料科学与工程学院,南京电子技术研究所
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为了提高移相器性能,通过掺杂的方法研究了La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物对BSTO/MgO铁电移相材料低频(10 kHz)与高频(2.5 GHz左右)相对介电常数εr、介质损耗tgδ和调谐性T等的影响,并对影响机理作了初步探讨.结果表明,掺杂摩尔分数为0.5%La2O3的BSTO/MgO系统基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求:10 kHz下,tgδ = 4×10-4,T = 14.6%;2.41 GHz下,tgδ = 6.7×10-3.
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