采用TEOS和H2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜

• 作 者: 雷红兵 廖左升 等
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,信息产业部电子48所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2001年5期
• 关键词: 二氧化硅 PECVD 薄膜 生长 半导体材料 silicon dioxide plasma-enhanced CVD planar waveguide
• 基金项目: 国家自然科学基金! (698762 60和 6988970 1),,国家重点基础研究资助项目! (G2 0 0 0 0 3 660 4)&&

开展了使用TEOS和H2O混合物进行PECVD生长SiO2膜的研究工作，氧化硅折射率分布在1．453±0．001的范围，且随偏离中心距离基本不变，薄膜厚度是中央大，边沿薄，其厚度相对变化不超过±1．5％（51mm衬底），利用TEOS源PECVD，并结合退火,技术，摸索出厚膜氧化硅生长工艺，已成功地在硅衬底上生长出厚度超过15um氧化硅厚膜，可用于制备氧化硅平面波导器件。