非晶硅/单晶硅n~+p异质结的制备及其电学特性的研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:radicafrank
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异质结构的HBT和HEMT由干具有高频、高速的巨大潜力,越来越受到人们重视,并已进行了大量研究。但由于这两种结构都要求具有近乎理想的异质界面,一般需要采用昂贵的外延设备(MBE,MOCVD),因而研究及应用工作受到一定限制。 自1985年底开始,依据朱恩均提出的二维电子气发射极异质 Heterogeneous structure of HBT and HEMT by the dry with high frequency, high speed, great potential, more and more attention, and has conducted a lot of research. However, due to the fact that both structures require near-ideal heterogeneous interfaces, expensive epitaxial devices (MBE, MOCVD) are generally required, so research and application work are limited. Since the end of 1985, according to Zhu Enjun proposed two-dimensional electron gas emitter heterogeneity
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