【摘 要】
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我们研制了一种用氢掺杂无定形硅作光导电材料的摄象管.供彩色摄象机用,具有必要的分光灵敏度特性,绝对灵敏度高.靶压取30V时,信号电流为0.9μA/10Lx(3200°K).靶压在30～50V范
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我们研制了一种用氢掺杂无定形硅作光导电材料的摄象管.供彩色摄象机用,具有必要的分光灵敏度特性,绝对灵敏度高.靶压取30V时,信号电流为0.9μA/10Lx(3200°K).靶压在30～50V范围内,暗电流低于1nA.分辨率也很高.不过用于广播上惰性较大.存储型摄象器件,一定要取高阻抗光导电材料.无定形半导体材料的阻抗高,因此从本质上讲是属于存储摄象范畴的.
We have developed a hydrogen-doped amorphous silicon photoconductor for the photographic tube for color camera with the necessary spectral sensitivity characteristics, absolute sensitivity high target voltage 30V, the signal current of 0.9μA / 10Lx (3200 ° K). The target pressure is in the range of 30 ~ 50V, the dark current is lower than 1nA, the resolution is also very high, but for the inertia of broadcasting, the storage type camera device must take high-impedance light Conductive materials. Amorphous semiconductor materials, high impedance, so essentially belong to the category of storage camera.
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