【摘 要】
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一、引言 为获得高效率的p-n结发光器件,在热平衡条件下掺杂时,会遇到自补偿效应,从而得不到反型导电性。因此,必须很好地了解自补偿效应并且寻找避免自补偿的途径。 自补偿
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一、引言 为获得高效率的p-n结发光器件,在热平衡条件下掺杂时,会遇到自补偿效应,从而得不到反型导电性。因此,必须很好地了解自补偿效应并且寻找避免自补偿的途径。 自补偿,顾名思义,就是指当发光材料中因掺杂增加自由载流子浓度时,材料中会自发地产生带相反电荷的缺陷中心,补偿自由载流子的现象。
I. INTRODUCTION In order to obtain high efficiency p-n junction devices, self-compensation effects are encountered when doping under thermal equilibrium conditions, so that no inversion conductivity can be obtained. Therefore, it is important to understand the effect of self-compensation and to find ways to avoid self-reparation. Self-compensation, as its name implies, refers to the spontaneous generation of oppositely charged defect centers in a material to compensate for free-carrier phenomena when the free carrier concentration in the light-emitting material is increased by doping.
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