【摘 要】
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随着集成电路制造技术的发展,寄存器和SRAM等存储单元在空间辐射环境中越来越容易受到单粒子翻转(SEU)效应的影响.传统抗SEU加固方法分为工艺加固和设计加固,前者依赖于工艺
【机 构】
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西北工业大学电子信息学院,北京微电子技术研究所
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随着集成电路制造技术的发展,寄存器和SRAM等存储单元在空间辐射环境中越来越容易受到单粒子翻转(SEU)效应的影响.传统抗SEU加固方法分为工艺加固和设计加固,前者依赖于工艺平台,难度大、周期长,后者仅针对芯片内部特定SEU敏感单元.通过提出一种针对通用总线控制器的芯片级抗SEU加固设计方法,采用冗余编码和刷新技术,可以进一步提高芯片的抗SEU能力;通过划分影响域和添加中断源,便于定位芯片中SEU敏感位置,从而有利于片内刷新操作和后续设计优化.实验结果表明,与传统的辐射加固方法相比,新方法具有更高的辐射可
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