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对ｐ型金刚石薄膜上Ｔｉ／Ａｕ结构（金刚石－Ｔｉ／Ａｕ结构）的欧姆接触和界面特性进行了研究。采用微波等离子体ＣＶＤ方法在Ｓｉ基片上制作出掺硼的金刚石薄膜，然后在金刚石薄膜表面上蒸发Ｔｉ／Ａｕ双层金属以形成接触电极。样品经７００℃下氩气氛中热处理５０ｍｉｎ，可得到线性变化的Ｉ－Ｕ特性和比接触电阻率为２×１０＾－４Ωｃｍ＾２的欧姆接触。还采用Ｘ射线衍射图谱来分析金刚石薄膜与Ｔｉ／Ａｕ的界面，结果揭示了在