基于0．35μm SiGe BiCMOS的2．5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计

• 作 者: 张健 陈立强 李志强 陈普峰 张海英
• 机 构: 中国科学院微电子研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2008年5期
• 关键词: SIGE BiCMOS压控振荡器 电感值 相位噪声 SiGe BiCMOS VCO inductance phase noise
• 基金项目: 国家自然科学基金（批准号：60276021）和国家重点基础研究发展规划（批准号：G2002CB311901）资助项目

介绍了一个基于0．35μm SiGe BiCMOS工艺的2．5GHz低相位噪声LC压控振荡器．文章重新定义了压控振荡器工作区域．分析表明谐振回路的电感值和偏置电流对振荡器的相噪优化有重要的影响．本文同时分析了CMOS和BIT压控振荡器设计思路的不同．本设计中，采用键合线来实现谐振回路中的电感来进一步提高相噪性能．该VCO和其他模块集成在一起实现了一个环路带宽为30kHz的频率综合器．测试结果表明，当中心频率为2．5GHz时，在100kHz和1MHz的频偏处相噪分别为-95dBc／Hz和-116dBc／Hz