不同添加剂对氮化硅陶瓷氧化行为的影响

• 作 者: 童一东 黄莉萍
• 机 构: 中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所
• 出 处: 硅酸盐学报
• 发表日期: 1992年3期
• 关键词: 陶瓷 氧化 氮化硅 添加剂 扩散 oxidationsilicon nitrideadditivediffusion

对Si-Al-Y-O-N系统气压烧结的致密氮化硅陶瓷的氧化研究表明,材料在1100～1400℃温度下氧化,符合抛物线氧化规律。在此温度范围内,氧化活化能为600～730kJ/mol。AlN的引入对材料在低温段(800～1000℃)的抗氧化能力有较大影响。由于在晶界存在易氧化的第二相物质,含AlN作添加剂的氮化硅材料在低温段有较明显的氧化,氧化呈线性规律。