【摘 要】
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本工作研究了SiO_2与C反应法合成SiC晶须的条件及机理;藉此法在Si_3N_4基体粉末内合成了均匀分布的SiC晶须,并制备出SiC晶须补强的Si_3N_4复合材料(因不用任何外加晶须,这类
【机 构】
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冶金工业部钢铁研究总院,冶金工业部钢铁研究总院北京100081,北京100081
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本工作研究了SiO_2与C反应法合成SiC晶须的条件及机理;藉此法在Si_3N_4基体粉末内合成了均匀分布的SiC晶须,并制备出SiC晶须补强的Si_3N_4复合材料(因不用任何外加晶须,这类材料可称为“自补强陶瓷复合材料”)。该材料(SiC晶须的体积含量为15％)具有优良的机械性能:K_(Ic)=8.0MPa·m~(1/2),σ(b,RT)=649MPa;1300℃空气中氧化100h后,σ(b,1300℃)=621MPa。其显微组织特征是:SiC晶须均匀分布于Si_3N_4晶粒之间;也有纳米级
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