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利用喇曼光谱研究了不同温度下在Ｓｉ（１００）衬底上异质外延Ｇｅ层由于扩散引起的Ｇｅ／Ｓｉ异质结界面互混以及表面活化剂Ｓｂ对其的影响。结果表明表面活化剂Ｓｂ的存在大大抑制了界面的互扩散，在６５０℃下也没有观察到明显的界面互混，没有Ｓｂ时，在５００℃下已存在一定程度的界面互混，界面互混程度随外廷层生长温度的增高而增强，这种互扩散的差别与成岛生长时应变释放有关。