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采用射频磁控溅的方法，成功地在单晶硅片上沉积制备出了高品质的ｃ－ＢＮ薄膜，并通过对基片的高能离子束的预处理，有效地改善了ｃ－ＮＢ薄膜中因内应力导致的差的附着性能，进一步研究了初底负偏压，温度与薄膜质量的关系，讨论了薄膜中的内应力的状态。在此基础上，深入长展了硬质合金上沉积ｃ－ＢＮ薄膜的工作，为ｃ－ＢＮ薄膜的实际应用奠定了基础。