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利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN／GaN多量子阱（MQW）蓝光发光二极管（LED），研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明，随着Cp2Mg流量的提高，漏电流升高，并且到达一临界点会迅速恶化；正向压降则先降低，后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量，结果表明，生长p-GaN盖层时，Cp2Mg流量过低，盖层的空穴浓度低，电学特性不好；Cp2Mg流量过高，则会产生大量的缺陷，盖层晶体质量与表面形貌变差，使得空