脉冲退火法制备多晶硅薄膜的研究

• 作 者: 张松青 张丽伟 赵新蕖 卢景霄
• 机 构: 河南机电高等专科学校,新乡学院,郑州大学材料物理教育部重点实验室
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2008年2期
• 关键词: SI薄膜 脉冲快速光热退火 拉曼光谱 扫描电子显微镜 μc-Si： H films PRTP Raman SEM

用射频等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）法在普通玻璃衬底上低温制备了μc-Si：H薄膜。采用快速光热退火炉（RTP）,分别用低温（〈650℃）和中温（〈750℃）脉冲法（PRTP）对薄膜进行了退火处理。用拉曼光谱和扫描电子显微镜（SEM）研究了不同条件下退火薄膜散射谱的特征和表面形貌。结果显示,脉冲退火法晶化的薄膜,晶化率达到了53%,部分颗粒团簇的尺寸已达到200nm左右。用声子限域理论和表面尺寸效应对薄膜频谱的＂红移＂和＂蓝移＂现象进行了分析。