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掺稀土半导体光电特性和应用
掺稀土半导体光电特性和应用
来源 :中国稀土学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zcv_2323
【摘 要】
:
结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究,简述目前国际上在这方面研究的新进展,重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果。
【作 者】
:
陈维德
陈长勇
等
【机 构】
:
中国科学院半导体所,中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家重点实验室
【出 处】
:
中国稀土学报
【发表日期】
:
2002年6期
【关键词】
:
半导体
光电特性
应用
稀土元素
GaN
硅基材料
发光
掺杂
铒
氮化镓
【基金项目】
:
国家自然科学基金资助项目(批准号60176025,69976028)
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结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究,简述目前国际上在这方面研究的新进展,重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果。
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