第一性原理对GanNn（n=2～5）小团簇的结构及电子性质的研究

• 作 者: 葛桂贤 雷雪玲 闫玉丽 杨致 赵文杰 王清林 罗有华
• 机 构: 石河子大学师范学院物理系生态物理重点实验室,新疆师范大学数理信息学院,河南大学物理与信息光电子学院理论物理研究所,华东理工大学理学院
• 出 处: 原子与分子物理学报
• 发表日期: 2008年1期
• 关键词: GanNn团簇 最低能量结构 电子性质 GanNn（ n = 2-5）clusters the lowest energy structure electr

利用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G^＊的水平上对GanNn（n=2～5）团簇的结构进行优化，得到了GanNn（n=2～5）团簇的最稳定结构．并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析．结果表明，团簇的最稳定结构为平面结构，且存在着N2和N3单元，说明N—N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用；能隙间隔为1．776～3．563eV，表明GanNn（n=2～5）团簇已具有了半导体的性质．