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【摘要】利用InGaP/GaAsHBT技术研制了824~849MHz手机功率放大器芯片。在3.4V工作電压下,低功率模式16dBm的效率达到9.5%,ACP@885kHz为-51.2dBc,ACP词1.98MHz为-68dBc,高功率模式28dBm的效率达到40.3%,ACP@885kHz为-54dBc,ACP@1.98MHz为-61dBc。通过优化偏置电路,提高了电路性能对HBT电流增益的鲁棒性。
【中图分类号】TN722.1 【文献标识码】A 【文章编号】1672—5158(2012)08-O009-01
【中图分类号】TN722.1 【文献标识码】A 【文章编号】1672—5158(2012)08-O009-01