工艺对磁控溅射ZAO薄膜光电特性的影响

• 作 者: 辛荣生 林钰 贾晓林
• 机 构: 郑州大学材料科学与工程学院,河南教育学院化学系
• 出 处: 电子元件与材料
• 发表日期: 2006年9期
• 关键词: 无机非金属材料 磁控溅射 ZAO膜 电阻率 透过率 inorganic non-metallic materials magnetron sputtering
• 基金项目: 河南省科技攻关资助项目（0224380029）

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ZAO透明导电膜，研究了温度、氧压比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ZAO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响。实验结果表明，当温度470℃、氧氩比0．5／40、溅射气压0.5Pa和镀膜速率3．6nm／min左右时，可获得薄膜电阻率7．2×10^-4Ω·cm、可见光透过率85％以上的最佳光电特性参数。