【摘 要】
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利用能谷间电子转移效应的Gunn二极管问世已二十余年,至今仍是微波,尤其是毫米波领域中最主要的有源器件之一.但是传统的Gunn二极管在短毫米波范围使用时,由于载流子以“冷”
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所 210016,210016
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利用能谷间电子转移效应的Gunn二极管问世已二十余年,至今仍是微波,尤其是毫米波领域中最主要的有源器件之一.但是传统的Gunn二极管在短毫米波范围使用时,由于载流子以“冷”态随机地进入有源区,因而存在“死区”,使短毫米波器件中有源区的利用率明显降低,造成效率下降;而且这种随机分布的“冷”电子转变为“热”的畴电子过程中带来的噪声
The Gunn diode, which uses electron transfer between the valleys, has been in use for more than two decades and is still one of the most important active devices in the field of microwaves, especially in the millimeter wave field. However, when a conventional Gunn diode is used in the short millimeter wave range, As carriers move randomly into the active region in a “cold” state, there is a “dead zone” that significantly reduces the utilization of the active region in short millimeter-wave devices, resulting in a reduction in efficiency; and this randomly distributed “cold ”Electrons transform into“ hot ”domain electronic process noise
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