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描述了用直流弧放电等离子体喷流ＣＶＤ法来合成金刚石薄膜的过程。通过实验确定了金刚石生长的最佳条件。实验结果表明，金刚石薄膜的生长速率约为６４μｍ／ｈ。借助拉曼光谱证实了膜为金刚石膜，扫描电镜拍摄的照片清楚的显示了晶体的形状。
直流弧放电等离子体喷流CVD法高速合成金刚石薄膜的研究
【摘 要】
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描述了用直流弧放电等离子体喷流ＣＶＤ法来合成金刚石薄膜的过程。通过实验确定了金刚石生长的最佳条件。实验结果表明，金刚石薄膜的生长速率约为６４μｍ／ｈ。借助拉曼光谱证实了膜为金刚石
【机 构】
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西安交通大学电子工程系物理电子技术专业,西安交通大学电子工程系电子材料与元件专业
【出 处】
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西安交通大学学报
【发表日期】
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1993年5期
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