操作系统中FERRANTI F100-L微处理机的抗辐照强度评价

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对Ferranti F100-L微处理机和机用芯片的抗辐射性能进行评价的结果是,它们对中子、高剂量率电子和总剂量伽马辐射的安全工作范围分别是2×10~(13)个中子/cm~2、2.2×10~7拉德/秒以及1~10兆拉德(取决于剂量率)。用相当于10~(13)拉德/秒、50毫微秒宽的红外激光脉冲决不可能达到器件闭锁。 As a result of evaluating the radiation resistance of the Ferranti F100-L microprocessors and machine chips, their safe operating ranges for neutron, high-dose-rate electrons and total dose gamma radiation are respectively 2 × 10-13 Neutrons / cm ~ 2,2.2 × 10 ~ 7 rad / sec and 1 ~ 10 megarads (depending on the dose rate). With the equivalent of 10 ~ (13) rad / sec, infrared pulse width of 50 nanoseconds, it is impossible to reach the device latch.
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