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详细介绍了一种采用ＢＦ＿２注入和快速退火制作基区、ｆ＿Ｔ可达３０ＧＨｚ的亚微米双层多晶硅工艺及其器件特性。描述了晶体管的基本参数，以及其截止频率ｆ＿Ｔ和集电极与发射极间击穿电压ＢＶ＿（ｃｅｏ）之间的对应关系；与基区注入剂量、外延基区注入剂量、下集电区注入剂量和外延层厚度的函数关系。
BF2注入和快速退火的亚微米双层多晶硅工艺
【摘 要】
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详细介绍了一种采用ＢＦ＿２注入和快速退火制作基区、ｆ＿Ｔ可达３０ＧＨｚ的亚微米双层多晶硅工艺及其器件特性。描述了晶体管的基本参数，以及其截止频率ｆ＿Ｔ和集电极与发射极间击穿电压ＢＶ＿（ｃｅｏ）之间的对应关系；与
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1994年4期
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