【摘 要】
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“基于30nm级工艺的64Gb闪存有望在近期内实现。而且,现有的单元结构有可能不加修改地发展到20nm级。之后,只需要将存储单元以三维形式叠加起来,就可以
”The 64-Gbit flash
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“基于30nm级工艺的64Gb闪存有望在近期内实现。而且,现有的单元结构有可能不加修改地发展到20nm级。之后,只需要将存储单元以三维形式叠加起来,就可以
”The 64-Gbit flash based on the 30nm process is expected to be implemented in the near future, and the existing cell structure is likely to grow unmodified to 20nm, and then simply store the cells in three-dimensional form,
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