【摘 要】
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从理论和实验两方面研究了温度对以双极模式工作的垂直JFET特性的影响。结果证明,双极JFET在功率应用中是一个很好的候选者,在这一应用中,该器件兼有随温度缓慢变化的甚低饱
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从理论和实验两方面研究了温度对以双极模式工作的垂直JFET特性的影响。结果证明,双极JFET在功率应用中是一个很好的候选者,在这一应用中,该器件兼有随温度缓慢变化的甚低饱和电压和直流电流放大的负温度系数的作用。借助于器件工作的物理模型,研究了温度对直流电流增益和导通电阻的影响,该模式与实验结果非常一致。
The effect of temperature on the vertical JFET behavior in bipolar mode has been studied theoretically and experimentally. The results demonstrate that bipolar JFETs are a good candidate for power applications where the device combines the effects of a very low saturation voltage, slowly varying with temperature, and a negative temperature coefficient of DC current amplification. With the help of the physical model of device operation, the influence of temperature on DC current gain and on-resistance is studied. The model is in good agreement with the experimental results.
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