高性能Pd栅氢敏MOS管的研制

• 作 者: 康笑然 王家楫 黄传钧
• 机 构: 甘肃省科学院传感技术研究所,复旦大学材料系,上海无线电十四厂
• 出 处: 甘肃科学学报
• 发表日期: 1992年2期
• 关键词: 半导体 传感器 气敏 氢 MOS管 钯栅

采用Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si复合栅MIS结构,通过对设计及关键工艺的改进,研制了灵敏度高(120℃,1000ppmH_2中,阈值电压的改变可达520mV),响应、恢复时间短(120℃,1000ppmH_2,响应、恢复时间分别为10秒和25秒)的Pd栅氢敏管。比较了Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si结构和Pd/SiO_2/Si结构对恢复时间的影响,解释了Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si结构可有效缩短恢复时间的原因。